SCM(扫描电容显微术）

载流子分布表征

芯片工艺前段失效分析、设计改进掺杂剂分布、逆向工程及产线监控中具有重要的作用。其利用高空间分辨率对半导体器件进行电学表征，鉴于其非破坏性的扫描能力和高精度的纳米特征量测，是表征半导体器件的有力方法。

C-AFM（导电原子力显微术）

检测样品表面对地接触间电流

芯片失效分析中扮演着重要定位角色，针对失效热点(Hot spot)区域及SRAM cell/periphery里失效图形(SB,BL,WL…)、DFT等failure mode。去层看VC无明显异常时，可在Via层及Contact层做C-AFM量测，进而精准测出PN结电流大小来推断是否有漏电及高阻情况。

AFM（原子力显微术）

检测样品表面粗度                              

半导体与电子器件和材料科学等，如：Si基芯片，氧化铝材料，铜框架，有机薄膜等