COXEM CP-8000+ 氩离子抛光是一种先进的样品制备工具，可使用氩离子束蚀刻样品的横截面。 该过程避免了物理变形和结构损坏，不需要复杂的化学过程。此外，该系统通过处理从几十微米到几毫米的大面积，简化了样品的横截面分析。

特  点

●    每小时 700 μm 的高蚀刻速率（基于 Si，8 kV）

●    能够保存/加载常用的配方

●    具有自动执行功能的逐步操作配方

●    使用智能样品架轻松装载样品

●    通过腔室摄像头实时观察离子束状态和蚀刻状态

●    便捷的操作——直观的GUI和简单的触摸屏

●    通过离子束自动开/关功能减少热损伤

●    使用内置数字显微镜通过离子束快速方便地对准样品

●    配备低噪、隔振、无油隔膜泵

●    具备平面铣削功能，可进行大面积平面蚀刻

CP抛光基本原理

机械抛光 VS CP抛光

      如果使用机械抛光装置进行抛光，由于物理损伤和污染，很难检查横截面的确切状态，但当使用离子束通过 CP 进行横截面加工时，可以观察微表面结构，样品无结构损坏和污染。

FIB 抛光 VS CP抛光

      与聚焦离子束 (FIB)  相比，使用 CP-8000+ 蚀刻同一样品的截面时，您可以在更短的时间内蚀刻更宽的横截面，从而极大地节省时间和成本。
       以下图像是同一样本在同一时间段内以两种不同方式（FIB 和 CP）铣削的结果。

数码显微镜

      使用数字显微镜，可以通过屏幕轻松对准离子束的位置和样品的位置。

仓室内摄像头

      您可以通过腔室内的摄像头检查离子束的状态，并实时检查截 面蚀刻的程度。

自动离子束开/关模式

      该功能旨在通过根据设置的离子束开/关计时器打开和关闭离子束，减少离子束造成的热损伤。在蚀刻聚合物和纸张等热敏样品时，它对于获得准确的横截面条件非常有用。

配方模式

      常用的蚀刻条件可以存储在配方列表中，以便在需要时轻松应用设置值。此外，还可以使用分步模式来存储多个配方并自动执行它们来蚀刻样品。

平面抛光模式

      CP-8000+ 可以使用专用支架在平面上处理样品。 当样品安装在专用支架上并使用平面铣削功能时， 离子束会基于旋转中心轴蚀刻几个平方毫米的区域。 在此刻，由于抛光速度、面积和深度根据离子束 撞击样品表面的入射角而变化，因此应通过旋转和调整样品的角度来实现均匀的表面抛光。 由于离子束照射的面积较大，可以蚀刻氧化层或异物，因此可用于大面积样品的预处理。