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特色检测
微观结构分析
化学成分分析
失效分析
样品制备
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半导体元件
失效分析主要针对特定元件失效进行,按照外观检查-截面分析-光景分析-SEM/EDS顺序进行。
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离子减薄,刻蚀
适用于陶瓷、矿物、半导体等材料的TEM样品减薄制备工作;
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超薄切片+染色
观察生物体的微细结构,需把样品制备成40-50nm厚度,可用于透射电镜的制样
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FIB切割
可用于IC芯片电路修改、截面制样、透射电镜样品制备、材料鉴定
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CP制样
搭配温控液氮冷却台,广泛适用于金属、非金属、高分子材料在常温、低温下的离子束切割、抛光要求,可用于截面SEM、EBSD抛光制样、FIB导电镀膜样品制备等;
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异物分析+溯源
对嵌入异物、斑点、油状物、喷霜等异常物质进行定性分析,由此找寻污染源或配方不相容者,改善产品质量。
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